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Die Halbleitertechnologie hat längst den
Nanometerbereich erreicht - Leiterbahnen auf modernen Computer-Chips
sind heute nur noch einige Dutzend Nanometer breit (ein Nanometer =
ein Millionstel Millimeter). Um deren Herstellungsverfahren auf
atomarer Ebene optimieren zu können, ist ein umfassendes und
grundlegendes Verständnis jener Prozesse und Phänomene erforderlich,
die sich an der Grenzfläche zwischen flüssigen und festen Materialien
abspielen. Wissenschaftlern des Max-Planck-Institut für
Metallforschung in Stuttgart und des Israel Institute of Technology in
Haifa ist es jetzt erstmals gelungen, atomare Prozesse direkt an der
Grenzfläche zwischen flüssigem Aluminium und festem Aluminiumoxid
(Saphir) zu beobachten. Mittels Hochspannungs-Elektronenmikroskopie
konnten sie nachweisen, dass Kristalle in der Lage sind, die Atome in
benachbarten flüssigen Metallen zu ordnen, selbst bei hohen
Temperaturen. Diese Erkenntnisse sind wichtig, wenn beispielsweise
Oberflächen mit Flüssigkeiten benetzt werden sollen - wie beim "Löten"
Nanometer-kleiner Kontaktstellen (Science, 28. Oktober 2005). |
